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KOKUSAI ELECTRICは半導体製造装置メーカーで、縦型バッチ式熱処理炉・CVD（化学気相成長）装置・ALD（原子層堆積）装置を主力製品とする。主要顧客はSamsung、SK Hynix、Micronなどの大手メモリメーカー、およびTSMCを中心とした先端ロジックファブ。装置1台あたりの単価は数億円規模に及び、量産ラインへの導入後は長期的なサービス・部品収益が積み上がる。旧日立国際電気の半導体製品事業を分割・独立させ、2023年に東証プライムへ上場。米KKRが主要株主として引き続き持分を保有している。売上高は直近FY2025で2,389億円、営業利益率21.5%を達成した。

①縦型バッチ炉における工程統合と代替困難性

顧客の量産ラインに対して装置仕様・プロセスレシピを長期にわたり最適化しており、他社装置への切り替えには再認定コストと歩留まりリスクが伴う。先端DRAMでのキャパシタ成膜など、KOKUSAIの装置なしには量産不可能なプロセスが複数存在する。

②数十年蓄積のプロセスノウハウと特許群

旧日立国際電気時代から積み上げたCVD・ALD技術の特許ポートフォリオは広範かつ深く、競合他社が同等製品を開発するには多大な時間とコストを要する。技術者・エンジニアの専門性も高く、人材面のモートも機能している。

③グローバルサービス体制とアフターマーケット収益

主要顧客の工場近隣にサービス拠点を配置し、24時間対応の保守・校正サービスを提供。装置稼働率向上への貢献度が高く、顧客との関係継続性を高めている。スペアパーツ・サービス収益は景気変動に対して相対的に安定している。

中期見通し

2025〜2027年にかけてAI向けHBM需要の急拡大を受けたDRAM設備投資の回復が見込まれ、KOKUSAIの主戦場である熱処理・成膜工程での受注増加が期待される。韓国・米国・日本の大型ファブ投資計画が相次いでおり、2〜3年の受注残積み上がりで売上成長率は年率10〜15%ペースが視野に入る。営業利益率も規模拡大効果で22〜25%へ改善する可能性がある。

長期構造的トレンド

半導体の微細化はGAAトランジスタ・3D積層構造へと進化し、熱処理・ALD工程の重要性は一層高まる。5〜10年スパンでは次世代メモリ（CXLメモリ、3D DRAM）や化合物半導体（SiC・GaN）向けへの製品展開も成長機会となる。さらに、インド・欧州での新興半導体クラスター形成に伴う新規顧客開拓も長期的な売上多様化に貢献する見通し。

KOKUSAIは上場来、安定配当の継続を基本方針としており、FY2024の¥11/株からFY2025の¥37/株へと大幅な増配を実施した。一方で配当性向の目標水準や自己株取得の具体的計画は明示されておらず、還元の枠組みは発展途上にある。財務健全化（自己資本比率の改善）を優先させながら、成長投資と配当のバランスを段階的に高めていく方針と見られる。中長期的には配当性向30〜40%水準への引き上げとDOE導入が課題となる。